[23p-P12-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[23p-P12-6] スピネル構造MgX₂O₄(X = Al,Ga,In)混晶のバンドエンジニアリング

〇太田 優一¹、金子 健太郎²、尾沼 猛儀³、藤田 静雄² (1.都産技研、2.京都大学、3.工学院大学)

キーワード：超ワイドバンドギャップ半導体、第一原理計算、酸化物混晶

スピネル型MgX₂O₄(X = Al,Ga,In)混晶の物性を第一原理計算によって推定した。カチオン置換による物性の変化は既存のIII族窒化物半導体とほぼ同様の傾向を示すことが明らかとなった。