[23p-P12-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[23p-P12-7] p型窒素ドープSnO_xにおけるホール生成の起源

〇渡辺 幸太郎¹、川口 拓真¹、一関 夢希也¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：酸化物半導体、窒素ドープ、ホール生成