[24a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[24a-E202-10] 窒化物半導体におけるピラミッド型インバージョンドメイン形成の理論解析

〇(M2)仁木 克英¹、秋山 亨¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：窒化アルミニウム、インバージョンドメイン境界、第一原理計算

GaN等の窒化物半導体のMgドーピングにおいて、Mg濃度を2×10¹⁹cm^-3以上まで増加させるとピラミッド型インバージョンドメイン(PID)と呼ばれる欠陥が形成されると報告されている。また、Mg濃度を増加させると正孔濃度が減少すると観測されているが、PID形成とMg濃度およびキャリア濃度との関係性については明らかにされていない。本研究では、GaNおよびAlNにおけるPID形成エネルギーを算出し、PID形成とMg濃度およびキャリア濃度との関係性を検討する。