[24a-E202-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[24a-E202-4] Oxygen plasma irradiation effects on AlN polarity inverted structure fabricated by sputtering and annealing method

〇Yusuke Hayashi¹, Jiaying Li¹, Yudai Nakanishi¹, Tetsuya Tohei¹, Kenjiro Uesugi^2,3, Kanako Shojiki⁴, Hideto Miyake^3,4, Nobuyuki Ikarashi⁵, Akira Sakai¹ (1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ., 2.SPORR, Mie Univ., 3.Grad. Sch. RIS, Mie Univ., 4.Grad. Sch. Eng., Mie Univ., 5.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:AlN

AlNは~200 nmのバンド端波長、4.3 pm/Vの非線形光学定数d₃₃を有することから、深紫外～赤外波長で動作する波長変換材料として有望である。スパッタAlNをface-to-faceアニール（FFA）で高品質化する手法（スパッタアニール法AlN、FFA Sp-AlN）を用いて、波長変換デバイスに向けた垂直方向極性反転技術の開発が進められている。サファイア基板上のN極性（−c）からAl極性（+c）への極性反転では酸素が本質的な役割を担うことが報告されているが、ホモエピタキシャル成長界面における極性反転の詳細は十分に明らかにされていない。本研究では酸素プラズマ照射による意図的酸化処理が極性反転構造に与える影響について報告する。