The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[24a-E202-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

Thu. Mar 24, 2022 9:15 AM - 12:00 PM E202 (E202)

Narihito Okada(Yamaguchi Univ.), Atsushi Tanaka(Nagoya Univ.)

9:45 AM - 10:00 AM

[24a-E202-3] Polarity Determination of Multilayer Polarity Inverted AlN Using Inclined-Plane KOH Etching

〇Yusuke Hayashi1, Yudai Nakanishi1, Tetsuya Tohei1, Kenjiro Uesugi2,3, Kanako Shojiki4, Hideto Miyake3,4, Akira Sakai1 (1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ., 2.SPORR, Mie Univ., 3.Grad. Sch. RIS, Mie Univ., 4.Grad. Sch. Eng., Mie Univ.)

Keywords:AlN

AlNは深紫外~赤外波長の広帯域で動作する波長変換材料として有望である。スパッタアニール法により多層極性反転AlNが実現されており、横モード位相整合波長変換デバイスへの応用が検討されてきた。極性の判定方法としてKOHエッチング法やTEM-CBED・HAADF-STEMが一般に用いられている。前者は簡易だが膜表面の極性判定に限定され、後者は各層の極性を判定できるが断面TEM試料を加工する必要があった。本研究では、この中間に位置する手法として傾斜面KOHエッチング法を提案する。FIBによるエッチングでc面から傾斜した面を形成し、KOH処理後にSEM観察することでエッチングの有無により極性を判定できる。