[24a-E204-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[24a-E204-3] スパッタNbO_x膜を用いた閾値スイッチング素子の検討

〇中村 颯汰¹、畠中 林太郎¹、清水 智弘¹、伊藤 健¹、新宮原 正三¹ (1.関西大理工学研究科)

キーワード：閾値スイッチング

絶縁体金属相転移現象を採用した閾値スイッチング素子は、人工ニューロンとしての応用可能性があり、近年注目されている。
本研究ではNbOxを絶縁体層にもつ素子を作製し、素子の電流電圧特性を調べ、閾値スイッチング特性が得られる条件を探索した。