[24a-E204-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[24a-E204-4] アモルファスGaO_xを用いたクロスバーアレイメモリスタの抵抗変化特性

〇正岡 直樹¹、林 侑介¹、藤平 哲也¹、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：メモリスタ、シナプス、抵抗変化

メモリスタは電圧印加によって抵抗値が変化することから、シナプス素子への応用に向けた多くの研究が行われている。これまでに我々は、酸素雰囲気で成膜したGaO_xを用いたメモリスタを開発してきたが、得られる抵抗比が小さいという課題があった。今回、アルゴン雰囲気で成膜したGaO_xを用いてこの課題の解決を図った。さらに将来的な集積化を念頭に置き、クロスバー構造のメモリスタを作製し電気特性の評価を行った。