[24a-E204-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[24a-E204-5] Ta₂O₅を用いたReRAM素子におけるアナログ抵抗変化の理論的実証

〇中村 優斗^1,2、西 佑介¹ (1.舞鶴工業高等専門学校、2.豊橋技術科学大学)

キーワード：抵抗変化型メモリ、シミュレーション

本研究では Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt素子におけるアナログ抵抗変化のシミュレーションによる再現を試みた．セットとリセットが連続的に生じるアナログ抵抗変化特性を再現するため，フィラメントモデルは従来の円柱形状のものではなく，円錐台形状のもの用いている．従来の破断と修復によって離散的な抵抗変化が生じる円柱形状のフィラメントモデルとは異なり，円錐台形状のフィラメントモデルでは酸素空孔濃度やフィラメント径に抵抗値が依存している．