[24a-E302-1~13] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [24a-E302-11] 紫外光照射によるGaN MOS構造における正孔トラップの評価

〇冨ヶ原 一樹¹、中沼 貴澄¹、溝端 秀聡¹、野﨑 幹人¹、小林 拓真¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、MOSデバイス、正孔トラップ

我々は，SiO₂/GaN構造に酸素熱処理を施すことで，電子トラップが低減することを報告してきた．一方，GaN MOS界面では正孔伝導が極めて困難であることを指摘しており，正孔トラップの詳細な評価が必要である．本研究では比較的入手が容易なn型GaN基板上にMOSキャパシタを作製し，紫外光照射により少数キャリアである正孔を誘起することで，正孔トラップの評価を行ったので報告する．