[24a-E302-1~13] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[24a-E302-3] EID AlGaN/GaN MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証

〇南條 拓真¹、品川 友宏¹、綿引 達郎¹、三浦 成久¹、江川 孝志² (1.三菱電機株式会社 先端技術総合研究所、2.名古屋工業大学)

キーワード：半導体、GaN、HEMT

AlGaN/GaNヘテロ界面の2DEGを、SiO2膜堆積とその直後の高温熱処理プロセスによって制御する新規技術を開発した。本報告では、この技術をドリフト領域に適用した新規のHEMT構造を提案する。さらに、これをSi基板上に作製し高耐圧/低オン抵抗のノーマリオフ動作を実証した。