[24a-E302-1~13] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [24a-E302-5] Characterization of AlSiO/n-GaN MOS Structures with Ultra-high-pressure Annealing

〇Tomoya Tokozumi¹, Masakazu Kanechika², Tetsu Kachi², Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, MOS

n-GaN上にALD法でAlSiOを堆積させたMOS構造の膜中欠陥を低温で除去しうるPDA手法として、超高圧アニール(UHPA)処理の検討を行った。試料のアニール条件は950°C, 常圧と300°C, 300 MPaの物を用意した。 C-V測定の結果、1~100 kHzの範囲で周波数分散は見られず、ヒステリシスは小さかった。SIMSによるGa濃度分布を行ったところ、常圧では高温アニールの影響で10²⁰ cm^-3程度のGa分布が確認されるが、UHPAでは検出限界である10¹⁶ cm^-3程度に抑えられていた。