[24a-E302-1~13] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [24a-E302-6] Formation of Stable GaN MOS Structures Based on Sputter Deposition of SiO₂ Dielectrics

〇(B)Kentaro Onishi¹, Bunichiro Mikake¹, Kazuki Tomigahara¹, Hidetoshi Mizobata¹, Mikito Nozaki¹, Takuma Kobayashi¹, Takayoshi Shimura¹, HeHeiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:GaN

MOS型GaNパワーデバイスは，高出力かつ高温動作可能な素子として期待されている。これまで我々はプラズマCVDにより，薄いGaO_x界面層を形成したSiO₂/GaN構造に対して優れた界面特性が得られることを報告してきた。しかし，後熱処理条件によりGaO_x層が還元することで固定電荷を生成し，電圧シフトを引き起こすと報告されている。ゆえに，本研究ではGaO_x層の形成を抑制するため，絶縁膜であるSiO₂をスパッタ成膜し，その電気特性を評価した。