[24a-E302-1~13] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [24a-E302-7] Formation of High-quality SiO₂/GaN MOS Structures by Controlling Oxidation and Reduction Processes

〇Bunichiro Mikake¹, Hidetoshi Mizobata¹, Mikito Nozaki¹, Takuma Kobayashi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:GaN, semiconductor, MOS device

我々はこれまでにSiO₂/GaN 構造に対して酸素熱処理(O₂-PDA)を行い，安定なGaO_x界面層を形成した後，水素熱処理(FGA)を行うことで，界面特性が改善することを報告した．しかし，過剰なFGAでは，GaO_x層の還元により正の固定電荷が生成してしまう．従ってO₂-PDA，FGA条件の最適化が必要であり，本研究では良好な界面特性および信頼性の両立を目指し，最適条件を調査したので報告する．