[24a-E302-1~13] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [24a-E302-6] スパッタSiO₂成膜よる安定なGaN MOS構造の形成

〇(B)大西 健太郎¹、見掛 文一郎¹、冨ヶ原 一樹¹、溝端 秀聡¹、野崎 幹人¹、小林 拓真¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大工)

キーワード：窒化ガリウム（GaN）

MOS型GaNパワーデバイスは，高出力かつ高温動作可能な素子として期待されている。これまで我々はプラズマCVDにより，薄いGaO_x界面層を形成したSiO₂/GaN構造に対して優れた界面特性が得られることを報告してきた。しかし，後熱処理条件によりGaO_x層が還元することで固定電荷を生成し，電圧シフトを引き起こすと報告されている。ゆえに，本研究ではGaO_x層の形成を抑制するため，絶縁膜であるSiO₂をスパッタ成膜し，その電気特性を評価した。