[24a-E302-1~13] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [24a-E302-7] 酸化・還元反応制御に基づく高品質SiO₂/GaN MOS構造の形成

〇見掛 文一郎¹、溝端 秀聡¹、野﨑 幹人¹、小林 拓真¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：GaN、半導体、MOSデバイス

我々はこれまでにSiO₂/GaN 構造に対して酸素熱処理(O₂-PDA)を行い，安定なGaO_x界面層を形成した後，水素熱処理(FGA)を行うことで，界面特性が改善することを報告した．しかし，過剰なFGAでは，GaO_x層の還元により正の固定電荷が生成してしまう．従ってO₂-PDA，FGA条件の最適化が必要であり，本研究では良好な界面特性および信頼性の両立を目指し，最適条件を調査したので報告する．