[24a-E302-1~13] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[24a-E302-8] HCl前洗浄したAl₂O₃/GaN界面の高温電気的特性

〇長井 大誠¹、田岡 紀之¹、大田 晃生¹、牧原 克典¹、宮﨑 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：化合物半導体