[24p-D316-1~11] 1.3 新技術・複合新領域

[24p-D316-4] Al₂O₃をエッチングマスクとして用いたシリコン導波路プロセスの検討

〇(B)林 翔平¹、辻 裕樹¹、禹 泰圭¹、前田 讓治¹、板谷 太郎²、天野 健² (1.東京理科大学、2.産総研)

キーワード：原子層堆積法(ALD)、アルミナ膜、エッチング

導波路作成に用いる技術である、RIE（反応性イオンエッチング）を行う際のエッチングマスクとして、ALD（原子層堆積法）で成膜したアルミナ膜を用いたところ、高いエッチング耐性を得ることができた。