[24p-E103-1~17] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[24p-E103-16] Raman spectroscopy of the ion-implanted CW laser crystallized Si thin films

〇Satoshi Takayama¹, Sasaki Nobuo^1,2, Uraoka Yukiharu¹ (1.NAIST, 2.Sasaki Consulting)

Keywords:laser anneal, TFT

低温多結晶シリコン(LTPS)は、a-Siと比較して高いキャリア移動度を有するため、薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル領域として、高性能ディスプレイデバイスへの活用が期待されている。連続波レーザーラテラル結晶化(CLC)による結晶化Siは高い結晶性を実現可能である。本研究では、CLCにより得られた結晶化に対し、イオン注入及び活性化アニール後の結晶性の変化をラマン分光により評価した。