[24p-E103-1~17] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

△ [24p-E103-5] Ge cyclic dry etching using HI/O₂ plasma treatments at room temperature

〇Hiroto Ishii^1,2, Wen Hsin Chang², Hiroyuki Ishii², Mengnan Ke¹, Tatsuro Maeda^1,2 (1.TUS, 2.AIST)

Keywords:Ge, HI, XPS

現在3次元集積化によるGeナノシートチャネルが期待されているが、チャネル形成には、原子層レベルで制御可能な等方性エッチングプロセスが求められる。我々はこれまでにGeのドライ酸化の自己停止機能とHCl溶液による選択ウェットエッチングを利用したGe原子層エッチングを開発したが、量産化や微細構造への表面張力の課題を考慮するとエッチングの低温ドライプロセス化が強く望まれる。そこで本研究では、HCl溶液での選択ウェットエッチングを代替する手法として、ヨウ化水素(HI)プラズマのGe酸化膜除去特性とO₂プラズマを用いた再酸化によるGeサイクルエッチングプロセスを検討したので報告する。