[24p-E103-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [24p-E103-7] 強度分布を有するエキシマレーザアニーリングにより形成した多結晶Si薄膜の結晶粒サイズ制御及び薄膜トランジスタの電気特性

〇岡次 徹¹、永野 貴寛¹、倉重 貴行¹、片山 慶太¹、柿本 祥明²、中村 大輔¹、後藤 哲也³、池上 浩^1,2 (1.九大院シス情、2.九大ギガフォトン部門、3.東北大未来研)

キーワード：低温多結晶シリコン、レーザアニーリング、薄膜トランジスタ

エキシマレーザアニーリング法を用いて結晶化されたLTPS薄膜トランジスタは高い電界効果移動度を有することが知られている。​我々はドットパターンマスクを用いてアニール時のレーザに空間的な強度分布を持たせ、結晶粒位置とサイズを制御した。本研究ではこの手法における最適な強度分布を明らかにするために、強度分布を形成するドットマスクの遮光部のサイズを変化させ、電界効果移動度との関係性を調べた。