[24p-E105-1~13] CS.5 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

△ [24p-E105-10] Growth of (111)-oriented epitaxial (Hf,Ce)O₂ ferroelectric films by PLD method and their characterization

〇(M1)Koji Hirai¹, Takahisa Shiraishi¹, Wakiko Yamaoka², Risako Tsurumaru², Yukari Inoue², Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Institute of Technology, 2.TDK Corp)

Keywords:ferroelectrics

HfO₂基膜は膜厚10nm以下で強誘電性を示し、近年その注目が高まっている。ここでCeO₂はHfO₂と同様に蛍石型構造を有し、常温常圧下で高対称相である立方晶相をとるため、HfO₂のドーパントとして有用だと考えられる。そのため本研究ではCeO₂をドーパントに用い、 (111)配向の (Hf,Ce) O₂エピタキシャル膜を作製。最適組成の探索及び電気特性の組成依存性の調査をおこなった。