[24p-E105-1~13] CS.5 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[24p-E105-9] Preparation of (Hf,Zr)O₂ thin films by reactive sputtering at room temperature

〇Junpei Ouchi¹, Shunsuke Hata¹, Genta Oshima¹, Hironori Fujisawa¹, Seiji Nakashima¹ (1.Univ.Hyogo)

Keywords:HZO, room temperature, transparent

HfO₂系薄膜は従来の強誘電体薄膜とは異なり，膜厚が10nm程度まで強誘電性を示すとともに，大きな光学バンドギャップを有するため，可視域で透明性の高い強誘電体薄膜として透明電子デバイスへの応用を検討している．我々は反応性スパッタリングを用いて酸素量制御により室温成膜での強誘電性発現を検討している．本研究では，ITO電極上への(Hf,Zr)O₂ (HZO)薄膜の室温成膜について報告する．