[24p-E105-1~13] CS.5 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[24p-E105-8] Ferroelectric Properties of Mist CVD-Derived Hf_xZr_1-xO₂ Thin Films Dependent on RTA Condition and Substrate

〇Yuki Fujiwara¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Masahiro Yoshimoto¹, Minoru Noda¹, Sho Tanaka¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:hafnium zirconium oxide, mist CVD, ferroelectric

ミストCVD法HZO強誘電体薄膜キャパシタのRTA雰囲気及び圧力を変化させた結果、リーク電流、伴うP-E特性への影響が明白であった。特に低圧でリーク電流は増加し、酸素欠陥増大の影響が示唆された。一方、TiN上HZO薄膜に大気圧雰囲気550 ℃スパイクアニールの結果、2e3回のポーリング前処理後に明白な分極反転が得られ、ダブルパルス測定からは約35 %の分極反転成分である約20 uC/cm²が得られた。