[24p-E105-1~13] CS.5 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[24p-E105-7] The effect of interface control layer on the MFSFET with ferroelectric nondoped HfO₂

〇Masakazu Tanuma¹, Joong-Won Shin¹, Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Inst. of Technology)

Keywords:Ferroelectric non-doped HfO2, MFSFET, RF magnetron sputtering

強誘電体HfO₂薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。今回、HfO₂/Si基板界面に化学酸化膜を導入したMFSFETに関する検討を行った。その結果、化学酸化膜を導入することにより、界面特性が向上し、MFSFETの電気特性の向上に有効であることが分かった。