[24p-E105-1~13] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

△ [24p-E105-10] PLD法による(111)配向エピタキシャル(Hf,Ce)O₂強誘電体膜の作製とその特性評価

〇(M1)平井 浩司¹、白石 貴久¹、山岡 和希子²、鶴丸 理沙子²、井上 ゆか梨²、舟窪 浩¹ (1.東京工業大学、2.TDK株式会社)

キーワード：強誘電体

HfO₂基膜は膜厚10nm以下で強誘電性を示し、近年その注目が高まっている。ここでCeO₂はHfO₂と同様に蛍石型構造を有し、常温常圧下で高対称相である立方晶相をとるため、HfO₂のドーパントとして有用だと考えられる。そのため本研究ではCeO₂をドーパントに用い、 (111)配向の (Hf,Ce) O₂エピタキシャル膜を作製。最適組成の探索及び電気特性の組成依存性の調査をおこなった。