[24p-E105-1~13] CS.5 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[24p-E105-3] Stability and dielectric property of ferroelectric HfO₂ thin films: first-principles study

〇Yoshikazu Maki¹, Arai Kazuaki¹, Aradai Masaaki², Shiraishi Kenji², Nakayama Takashi¹ (1.Chiba Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:hafnium oxide, ferroelectricity, first-principles calculation

強誘電なOrtho相のHfO₂は、メモリ等への応用が期待されるが、熱力学的に準安定であり、実験でOrtho相が形成される機構は未だ明らかでない。これまでに２軸性引張歪や酸素空孔帯電のメカニズムが提案されているが、これらは実験での薄膜に対応した計算ではない。そこで本発表では、第一原理計算を用いて、薄膜における強誘電HfO2発現のメカニズムを検討し、歪や酸素空孔帯電の働き、強誘電の大きさを検討した。