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[24p-E105-3] 強誘電HfO2薄膜の安定性と誘電特性:第一原理計算による検討
キーワード:酸化ハフニウム、強誘電性、第一原理計算
強誘電なOrtho相のHfO2は、メモリ等への応用が期待されるが、熱力学的に準安定であり、実験でOrtho相が形成される機構は未だ明らかでない。これまでに2軸性引張歪や酸素空孔帯電のメカニズムが提案されているが、これらは実験での薄膜に対応した計算ではない。そこで本発表では、第一原理計算を用いて、薄膜における強誘電HfO2発現のメカニズムを検討し、歪や酸素空孔帯電の働き、強誘電の大きさを検討した。