[24p-E105-1~13] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[24p-E105-3] 強誘電HfO₂薄膜の安定性と誘電特性：第一原理計算による検討

〇牧 芳和¹、新井 千慧¹、荒平 昌晃²、白石 賢二²、中山 隆史¹ (1.千葉大理、2.名大未来研)

キーワード：酸化ハフニウム、強誘電性、第一原理計算

強誘電なOrtho相のHfO₂は、メモリ等への応用が期待されるが、熱力学的に準安定であり、実験でOrtho相が形成される機構は未だ明らかでない。これまでに２軸性引張歪や酸素空孔帯電のメカニズムが提案されているが、これらは実験での薄膜に対応した計算ではない。そこで本発表では、第一原理計算を用いて、薄膜における強誘電HfO2発現のメカニズムを検討し、歪や酸素空孔帯電の働き、強誘電の大きさを検討した。