[24p-E202-9~17] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

▼ [24p-E202-11] Nanosecond ultralow power spin orbit torque magnetization switching induced by BiSb topological insulator

〇(P)Nguyen HuynhDuy Khang¹、Takanori Shirokura¹、Tuo Fan¹、Mao Takahashi²、Naoki Nakatani²、Daisuke Kato²、Yasuyoshi Miyamoto²、Pham Nam Hai^1,3 (1.Tokyo Tech.、2.NHK、3.Univ. Tokyo)

キーワード：BiSb, SOT-MRAM, Topological insulator