[24p-E205-1~18] 9.4 熱電変換

△ [24p-E205-9] 新規銅硫化物系熱電半導体Cu₇VSnS₈の結晶構造解析とキャリア濃度制御

〇(M1)香西 秀哉¹、末國 晃一郎¹、西堀 英治²、SAUERSCHNIG Philipp³、太田 道広³、大瀧 倫卓¹ (1.九州大総理工、2.筑波大数理、3.産総研GZR)

キーワード：熱電材料、硫化物、半導体

本講演では，新規銅硫化物系半導体Cu₇VSnS₈の結晶構造と熱電物性について発表する。X線回折から，その結晶構造は正方晶系であり，mawsonite Cu₆Fe₂SnS₈の構造と類似することが判った。Cu₇Ti_xV_1−xSnS₈ (x = 0.25–0.75)のようにVをTiで置換すると，ホールキャリアがドープされ，結果として673 KでのZTは0.6–0.7に達した。