[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [24p-E302-10] 照射光の波長と測定温度によるC-V特性の違いを利用したSiC MOS界面近傍の深い準位の評価

〇(M2)長谷川 凛平¹、喜多 浩之¹ (1.東京大工)

キーワード：MOS界面欠陥、光照射C-V測定、低温C-V測定

ワイドギャップ半導体のMOS界面には，通常のC-V測定や界面準位密度Dit評価だけでは正しく検出できていない欠陥準位が存在する。本研究では，深い準位の中でも特に，界面から空間的に離れてゲート絶縁膜中に存在する捕獲準位（NIT）の評価手法の検討を目的とし、照射する単色光の波長を連続的に変えて行うC-V測定と測定温度を変えて行うC-V測定を行った。