[24p-E302-1~16] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[24p-E302-15] Behavior of V_th under Negative High Gate Oxide Electric Field Stress on SiC MOSFETs

〇Munetaka Noguchi¹, Akihiro Koyama¹, Toshiaki Iwamatsu¹, Hiroshi Watanabe¹, Naruhisa Miura¹ (1.Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corp.)

Keywords:SiC, NBTI, threshold voltage

本研究では、SiC MOSFETに対して負バイアス下の高い酸化膜電界(E_ox)を印加した際のNBTI特性を評価し、電子及び正孔捕獲の挙動を評価した。初期しきい値電圧からの変化(ΔV_th)とゲート通過電荷量(Q_stress)の関係を検討した結果、負バイアス下の高E_ox印加時にQ_stressが一定量を超えると、ΔV_thの主要因が正孔捕獲から電子捕獲へと変化することを見出した。