[24p-E302-1~16] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[24p-E302-16] Analysis of interface trap distribution in SiC MOSFETs by 3 level charge pumping method

〇(M1)Atsuhiro Akiba¹, Yano Hiroshi¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:semiconductor, silicon carbide

3レベルチャージポンピング(3LCP)法をSiC-MOSFETに適用すると、Si-MOSFETには見られない特異な特性が確認される。これは界面近傍酸化膜トラップ(NIT)の影響であると考えられる。SRH統計に基づいた数式を用いて3LCP特性の解析を行い、測定結果に近い3LCP特性を示すような界面準位とNITの分布を検討した。