[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[24p-E302-16] 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討

〇(M1)秋葉 淳宏¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大学)

キーワード：半導体、SiC

3レベルチャージポンピング(3LCP)法をSiC-MOSFETに適用すると、Si-MOSFETには見られない特異な特性が確認される。これは界面近傍酸化膜トラップ(NIT)の影響であると考えられる。SRH統計に基づいた数式を用いて3LCP特性の解析を行い、測定結果に近い3LCP特性を示すような界面準位とNITの分布を検討した。