[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [24p-E302-4] 酸化抑制プロセスを用いて作製したSiC MOSFET特性の表面水素処理時間依存性

〇村木 瞬星¹、三上 杏太¹、立木 馨大¹、木本 恒暢¹ (1.京大工)

キーワード：SiC、MOSFET

SiC MOSFETのさらなる性能向上には、MOS界面に存在する高密度界面準位の低減が必須である。近年、我々は、酸化を抑制した新たなゲート酸化膜形成により界面準位密度(D_it)が著しく低減され、チャネル移動度を大幅に向上できることを報告した。しかし、新プロセスにおいてSiO₂堆積前に行う水素処理の時間がデバイス特性に与える影響は未知である。そこで本研究では、水素処理時間を変化させた(8–30分)MOSFETの電気的特性を評価したので報告する。