[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

▼ [24p-E302-5] Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement

〇(D)Gyozen Sai¹、Noriyuki Iwamuro¹、Hiroshi Yano¹ (1.Tsukuba Univ)

キーワード：P-channel 4H-SiC MOSFET, density of interface traps, split C-V measurement