[24p-E302-1~16] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [24p-E302-6] Effect of Excimer Ultraviolet Light Irradiation on NO-Nitrided SiC MOS Devices

〇(M1)Hiroki Fujimoto¹, Takuma Kobayashi¹, Mitsuru Sometani², Mitsuo Okamoto², Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.AIST)

Keywords:Metal-Oxide-Semiconductor device, Silicon Carbide

エキシマ紫外光照射前後における、SiC MOSキャパシタの電気特性の変動を調べた。結果、熱酸化試料（1300℃酸化）と超高温酸化試料（1600℃酸化, Ar 0.3%希釈）では、C-V特性の変化が軽微である一方で、NO窒化を施した試料では、熱酸化試料よりも大きな特性劣化 (C-Vヒステリシスとフラットバンド電圧の増大) が生じた。以上より、NO窒化界面は初期界面特性は良好だが、紫外光照射で活性化する欠陥を含むことが示された。