[24p-E302-1~16] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[24p-E302-9] [The 43rd JSAP Young Scientist Awar] Carrier transport properties in inversion layer of Si-face 4H–SiC MOSFET with nitrided oxide

〇Munetaka Noguchi¹, Toshiaki Iwamatsu¹, Hiroyuki Amishiro¹, Hiroshi Watanabe¹, Naruhisa Miura¹, Koji Kita², Satoshi Yamakawa¹ (1.Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 2.Univ. Tokyo)

Keywords:SiC, inversion layer, mobility

SiC MOSFETの反転層における電子移動度に影響を及ぼす電子の散乱機構を解明するため、従来のSiにおける知見を基に、SiC特有のクーロン散乱の影響を反転層のアクセプタ濃度で制御し、他の要因と合わせて散乱因子を分離する手法を考案した。その結果、酸窒化膜を有するSiC MOSFETでは、反転層における電子散乱の主要因はフォノン散乱とクーロン散乱であることを明らかにした。