[24p-E302-1~16] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [24p-E302-10] Characterization of deep trap profiles in near-interface oxide of SiC MOS interfaces using various irradiated light wavelengths and measurement temperatures

〇(M2)Rimpei Hasegawa¹, Koji Kita¹ (1.Tokyo Univ.)

Keywords:MOS interface traps, Photo-assisted C-V measurement, Low Temperature C-V measurement

ワイドギャップ半導体のMOS界面には，通常のC-V測定や界面準位密度Dit評価だけでは正しく検出できていない欠陥準位が存在する。本研究では，深い準位の中でも特に，界面から空間的に離れてゲート絶縁膜中に存在する捕獲準位（NIT）の評価手法の検討を目的とし、照射する単色光の波長を連続的に変えて行うC-V測定と測定温度を変えて行うC-V測定を行った。