[24p-E304-1~10] 二次元材料を集積回路に！

[24p-E304-4] 異なるMo源によるMoS₂化学気相成長膜の合成

〇安藤 淳¹、久保 利隆¹、岡田 直也¹、入沢 寿史¹ (1.産総研)

キーワード：半導体、二硫化モリブデン、化学気相成長

単層または極薄膜の状態において特異的な物性を発現するMoS₂ 等の2 次元層状半導体物質薄膜の均一かつ大面積成長は、多様なアプリケーションにとって重要であり、様々な研究が展開されている。我々は簡便に大面積連続膜の成長が可能な2 段階化学気相成長法を用いて、膜成長方法における試行実験を進めており、本発表では異なるMo 源の使用によるMoS₂ 化学気相成長膜の形態や物性等への影響について検討した結果を報告する。