[24p-E304-1~10] Introducing 2D Layered Materials into LSI World!

[24p-E304-5] Electron Doping to MoS₂ by Ultra-thin Film Formation of Phosphine Molecules

〇Shotaro Yotsuya¹, Akihiro Tsurusaki¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹, Daisuke Kiriya¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:Transition metal dichalcogenides, Two-dimensional semiconductor

遷移金属ダイカルコゲナイドは二次元半導体材料として研究が進められている。我々は、デバイスの特性変調や新奇物性の発現を目的として、溶液処理によるドーピング手法に注目をしている。この手法は、溶液を用いていることから、レジストパターンを利用した局所ドーピングやスケーラブルな処理法への展開も視野に入れられる。しかし、これまでの溶液処理による分子処理法の多くは、表面平坦性が低くデバイス応用への用途が限られていた。本研究では、高い平坦性を維持した有機処理によるドーピング法について検討した。