[24p-E304-1~10] 二次元材料を集積回路に！

[24p-E304-6] キャリアをドープしたMoS₂/WS₂面内ヘテロ構造体の蓄積キャリア分布

〇丸山 実那¹、一瀬 七海²、北浦 良²、岡田 晋¹ (1.筑波大数理、2.名大理)

キーワード：遷移金属カルコゲン化合物、ヘテロ構造体、電子構造

本研究では、MoS₂/WS₂面内ヘテロ構造体の電子構造、特に、電界によってキャリアがドープされたヘテロ構造体の蓄積キャリア分布を明らかにした。計算の結果、MoS₂/WS₂面内ヘテロ構造体は、タイプIIのバンド端アラインメントを有する半導体であることを明らかにした。キャリアの注入量が小さい場合、キャリアはバンド端を形成する領域のみに注入され、注入キャリア濃度を増加させると、キャリアの分布がシート全体に拡がることを明らかにした。