[24p-E304-1~10] 二次元材料を集積回路に！

[24p-E304-5] ホスフィン分子の極薄膜形成によるMoS₂への電子ドーピング

〇四谷 祥太郎¹、津留崎 陽大¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹、桐谷 乃輔¹ (1.阪府大院)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、二次元半導体

遷移金属ダイカルコゲナイドは二次元半導体材料として研究が進められている。我々は、デバイスの特性変調や新奇物性の発現を目的として、溶液処理によるドーピング手法に注目をしている。この手法は、溶液を用いていることから、レジストパターンを利用した局所ドーピングやスケーラブルな処理法への展開も視野に入れられる。しかし、これまでの溶液処理による分子処理法の多くは、表面平坦性が低くデバイス応用への用途が限られていた。本研究では、高い平坦性を維持した有機処理によるドーピング法について検討した。