[24p-F308-1~11] CS.1 Code-sharing Session of 2.3 & 7.5

△ [24p-F308-4] Low-temperature growth of Au nanowires on a Si substrate irradiated with low-energy Ar ions

〇Hitomi Mizutani¹, Katsumi Takahiro¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:nanowire, ion beam, crystal

我々は、低速Arイオン照射したSi基板に、Auを蒸着すると、照射部／非照射部の境界のみに、Auナノワイヤ（NW）が成長することを見出した。上記のNW作製では、イオン照射とAu蒸着を別々の真空チャンバーで行っていたため、イオン照射Si基板は、一旦大気にさらされていた。本研究では、系中の不純物を低減するために、イオン照射Si基板を大気にさらすことなくAu蒸着を行うことで、より高純度なNWsの作製を試みた。