[24p-P10-1~4] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[24p-P10-1] Potential-Induced Degradation of p-type Crystalline Si Cell Modules with a SiN_x Film Formed by Cat-CVD

〇Ryoichi Ishikawa¹, Toshiki Itasaka¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Tomihisa Tachibana², Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.AIST)

Keywords:Potential-Induced Degradation, SiNx Film

Cat-CVDで屈折率の異なるSiN_xを製膜したp型セルモジュールの電圧誘起劣化挙動を調査した。6時間のPID試験前後の1 sun光照射下でのJ–V特性を測定したところ、今回の試料では、SiN_xの屈折率増大とともにFFのより大きな低下がみられた。これは、一般的な傾向と異なっており、SiN_xの屈折率以外の膜物性がNa侵入やPID挙動に影響を及ぼしている可能性を示唆する。