[25a-D114-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [25a-D114-6] 層交換Geシード技術によるIn_xGa_1-xAs膜のプラスチック上合成と近赤外分光感度の実証

〇(DC)西田 竹志^1,2、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大院、2.学振特別研究員)

キーワード：Al誘起層交換Ge、太陽電池、フレキシブル応用

高効率多接合太陽電池の低コスト化に向け、安価な基板上への近赤外光吸収材料の形成が望まれている。我々はこれまでに、層交換合成した大粒径Ge膜上にGaAsを成長し、ガラス上に合成したIII-V族膜として初めて分光感度を実証した。本研究では、Geシード技術をInGaAsに応用して近赤外領域における分光感度の発現を目指すとともに、プラスチックフィルム上への展開を検討した。