[25a-D214-1~7] 3.10 光量子物理・技術

[25a-D214-6] ベキ分布にしたがう間欠的な半導体レーザー発振挙動の発生条件

〇新山 友暁¹、砂田 哲^1,2 (1.金沢大、2.JST)

キーワード：半導体レーザー、ベキ分布、自己組織化臨界

時間遅延を伴う戻り光を加えた半導体レーザー発振において，自己組織化臨界現象などの非平衡臨界挙動に特有のベキ分布にしたがう揺らぎが発生することをシミュレーションおよび実験で確認した。この挙動の発生条件を特定するために，多様な条件で数値計算を実行した。その結果，長い遅延時間・中程度の戻り光強度・内部共振器モードの発振閾値直上のポンプ電流という条件下で，間欠的な光発振バーストが最も顕著になり，その強度や待ち時間がベキ分布にしたがうことが分かった。