[25a-E103-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[25a-E103-9] フレキシブルCMOSイメージセンサの実現に向けた転写FDSOIトランジスタおよび論理回路の特性評価

〇後藤 正英¹、為村 成亨¹ (1.NHK技研)

キーワード：イメージセンサ、転写、フレキシブル

CMOSイメージセンサ本来の高い性能を有し、かつ自由に曲げることのできる新しいイメージセンサの実現を目指して、FDSOI基板上に形成したCMOS回路と結晶セレンなどからなる光電変換膜をプラスチック製の柔軟な基板に転写して作製する、フレキシブルCMOSイメージセンサの研究を進めている。今回、FDSOIトランジスタおよび論理回路をフレキシブル基板に転写し、その動作を初めて確認したので報告する。