[25a-E202-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[25a-E202-6] Epitaxial growth of WO₃ films and their gas sensing properties

〇Yutaka Adachi¹, Taku Suzuki¹ (1.NIMS)

Keywords:metal oxide semiconductor gas sensor, pulsed laser deposition, gas selectivity

WO₃は古くからガスセンサとしての研究がなされており、窒素酸化物に対する検知特性が優れていることが知られていたが、近年、CrやSiを添加するとアセトンに対するガス選択性が向上することが報告されている。しかし、CrやSiの添加によりなぜアセトンに対するガス選択性が向上するのかについては不明な点が多い。メカニズムが明らかにならない原因として、不純物を添加すると、センサ特性に影響を及ぼす他のパラメーター、粒径や粒子形状なども変化してしまうことが考えられる。本研究では、配向性、面内結晶方位、および膜厚がほぼ同じで、Si 添加の有無のみが異なるWO₃薄膜を作製し、Si 添加によるセンサ特性向上のメカニズムを明らかにすることを試みた。