The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[25a-E202-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Mar 25, 2022 9:30 AM - 12:00 PM E202 (E202)

Mutsunori Uenuma(奈良先端大)

11:30 AM - 11:45 AM

[25a-E202-8] Electric Field Thermopower Modulation Analyses of Effective Channel Thickness for InGaO3(ZnO)m Thin Film Transistors

〇Takashi Fujimoto1, Ohta Hiromiti2 (1.Hokkaido Univ., 2.RIES-Hokkaido Univ.)

Keywords:transparent amorphas oxide semiconductor

m値を変化させたInGaO3(ZnO)m (IGZOm)薄膜トランジスタを作製し、そのトランジスタ特製を解析した。また、チャネルの熱電能のゲート電圧依存性を調べる(熱電能電界変調法)ことにより、IGZOm薄膜トランジスタのチャネル厚さの解析を行った。