[25a-E202-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[25a-E202-9] Electrical Properties and Parameter Analysis of LaZrO/InO Electric Double Layer Transistors

〇Hiromi Nakazawa¹, Hiroshi Ishii¹, Yuzuru Takamura² (1.Mitsubishi Materials, 2.JAIST)

Keywords:electric double layer, transistor, Indium oxide

ゲート絶縁層をLaZrO、チャネル層をInO酸化物半導体とした電気二重層TFTは、低ゲート電圧で巨大な伝達コンダクタンス値を示す。そのメカニズムを明らかにするため、電気的特性を評価して電気二重層の厚さと誘電率、チャネル層のキャリア電子の濃度nと移動度μ、などの解析を行い、電気二重層の厚さは1nm程度と推定できること、μとｎの関係は固相結晶化In₂O₃薄膜のそれと類似していること、などが分かった。